Stanowisko do litografii interferencyjnej w ultrafiolecie (18)

Uniwersytet Warszawski

  • ablacja
  • inżynieria powierzchni
  • litografia interferencyjna
  • litografia optyczna

Osoba Kontaktowa :

Stanowisko pozwala na zapis w materiale światłoczułym wzoru o ustalonym kształcie metodami litografii bezpośredniego zapisu (ang. Direct Laser Writing Lithography), laserowej litografii interferencyjnej  (ang. Laser Interference Lithography) oraz modyfikacji powierzchni materiałów za pomocą ablacji laserowej. Układ wsparty napylarką próżniową umożliwi wytwarzanie nanostruktur metalicznych i dielektrycznych do zastosowań w fotonice, bioczujnikach, fotowoltaice i innych dziedzinach wykorzystujących odziaływanie światła z materią. Dodatkowo stanowisko zawiera zestaw narzędzi do przygotowania próbek do zapisu optycznego umożliwiające:

  1. 1. fizyczne czyszczenie i aktywację powierzchni oraz trawienie próbek za pomocą czyszczarki plazmowej z wykorzystaniem dwóch gazów procesowych tlenu i argonu,
  2. 2. termiczną obróbkę w temperaturze do 1100ºC w atmosferze ochronnej za pomocą pieca muflowego
  3. 3. chemiczną obróbkę próbek w kontrolowanych warunkach laminarnego przepływu powietrza w komorze laminarnej.

Elementy wchodzące w skład stanowiska:

  • Laser femtosekundowy ze zmienną częstością repetycji wraz z komputerem oraz przestrajalny optyczny wzmacniacz parametryczny (oscylator optyczny) na zakres 220nm-16 000nm (LightConversion – Pharos, Orpheus)
  • Dioda laserowa 405nm, 300 mW (Omicron – LuxX+® 405-300)
  • Czyszczarka plazmowa z elektrodą RIE (Diener Zepto)
  • Piec muflowy z systemem kontroli gazu ochronnego (Nabertherm LT 3/12)
  • Komora laminarna (Alpina Bio 160 B2)

Cennik (netto):

  • czyszczenie plazmowe powierzchni – 50 zł
  • wygrzewanie w piecu muflowym – 50 zł

Pliki do pobrania:

Skip to content