Uniwersytet Warszawski
Stanowisko służy do nakładania cienkich warstw dielektrycznych i metalicznych na podłoża półprzewodnikowe. Wykorzystuje metodę fizycznego osadzania warstw przy użyciu wiązki elektronów w warunkach próżniowych. Materiały, które można nakładać to m. in. tlenki takie tak SiO2, TiO2 oraz metale takie jak Au, Ag, Al. Umożliwia pracę z podłożami o maksymalnej średnicy 2 cali. Urządzenie jest wyposażone w działo jonowe, użycie którego zwiększa jednorodność i gęstość nakładanej warstwy oraz wagi kwarcowe umożliwiające kontrolę grubości nakładanej warstwy.
Godzina pracy: 450 PLN
0000-0003-3737-464X
